Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLS3813TRLPBF
MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK
Číslo dílu
IRLS3813TRLPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263AB)
Ztráta energie (max.)
195W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
160A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.95 mOhm @ 148A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 150µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
83nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
8020pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 40933 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLS3813TRLPBF
IRLS3813TRLPBF Elektronické komponenty
IRLS3813TRLPBF Odbyt
IRLS3813TRLPBF Dodavatel
IRLS3813TRLPBF Distributor
IRLS3813TRLPBF Datová tabulka
IRLS3813TRLPBF Fotky
IRLS3813TRLPBF Cena
IRLS3813TRLPBF Nabídka
IRLS3813TRLPBF Nejnižší cena
IRLS3813TRLPBF Vyhledávání
IRLS3813TRLPBF Nákup
IRLS3813TRLPBF Chip