Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLS3813PBF
MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK
Číslo dílu
IRLS3813PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
195W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
160A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.95 mOhm @ 148A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 150µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
83nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
8020pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 20420 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLS3813PBF
IRLS3813PBF Elektronické komponenty
IRLS3813PBF Odbyt
IRLS3813PBF Dodavatel
IRLS3813PBF Distributor
IRLS3813PBF Datová tabulka
IRLS3813PBF Fotky
IRLS3813PBF Cena
IRLS3813PBF Nabídka
IRLS3813PBF Nejnižší cena
IRLS3813PBF Vyhledávání
IRLS3813PBF Nákup
IRLS3813PBF Chip