Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLS3036PBF
MOSFET N-CH 60V 195A D2-PAK
Číslo dílu
IRLS3036PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
380W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.4 mOhm @ 165A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
140nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
11210pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 45984 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLS3036PBF
IRLS3036PBF Elektronické komponenty
IRLS3036PBF Odbyt
IRLS3036PBF Dodavatel
IRLS3036PBF Distributor
IRLS3036PBF Datová tabulka
IRLS3036PBF Fotky
IRLS3036PBF Cena
IRLS3036PBF Nabídka
IRLS3036PBF Nejnižší cena
IRLS3036PBF Vyhledávání
IRLS3036PBF Nákup
IRLS3036PBF Chip