Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLR8729TRPBF
MOSFET N-CH 30V 58A DPAK
Číslo dílu
IRLR8729TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
55W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8.9 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1350pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 34601 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLR8729TRPBF
IRLR8729TRPBF Elektronické komponenty
IRLR8729TRPBF Odbyt
IRLR8729TRPBF Dodavatel
IRLR8729TRPBF Distributor
IRLR8729TRPBF Datová tabulka
IRLR8729TRPBF Fotky
IRLR8729TRPBF Cena
IRLR8729TRPBF Nabídka
IRLR8729TRPBF Nejnižší cena
IRLR8729TRPBF Vyhledávání
IRLR8729TRPBF Nákup
IRLR8729TRPBF Chip