Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLR8503PBF
MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
Číslo dílu
IRLR8503PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
62W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
44A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
16 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1650pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 53851 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLR8503PBF
IRLR8503PBF Elektronické komponenty
IRLR8503PBF Odbyt
IRLR8503PBF Dodavatel
IRLR8503PBF Distributor
IRLR8503PBF Datová tabulka
IRLR8503PBF Fotky
IRLR8503PBF Cena
IRLR8503PBF Nabídka
IRLR8503PBF Nejnižší cena
IRLR8503PBF Vyhledávání
IRLR8503PBF Nákup
IRLR8503PBF Chip