Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLR8503
MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
Číslo dílu
IRLR8503
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
62W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
44A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
16 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1650pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 52200 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLR8503
IRLR8503 Elektronické komponenty
IRLR8503 Odbyt
IRLR8503 Dodavatel
IRLR8503 Distributor
IRLR8503 Datová tabulka
IRLR8503 Fotky
IRLR8503 Cena
IRLR8503 Nabídka
IRLR8503 Nejnižší cena
IRLR8503 Vyhledávání
IRLR8503 Nákup
IRLR8503 Chip