Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLR8259TRPBF
MOSFET N-CH 25V 57A DPAK
Číslo dílu
IRLR8259TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
48W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
25V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
57A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8.7 mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
900pF @ 13V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 32105 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLR8259TRPBF
IRLR8259TRPBF Elektronické komponenty
IRLR8259TRPBF Odbyt
IRLR8259TRPBF Dodavatel
IRLR8259TRPBF Distributor
IRLR8259TRPBF Datová tabulka
IRLR8259TRPBF Fotky
IRLR8259TRPBF Cena
IRLR8259TRPBF Nabídka
IRLR8259TRPBF Nejnižší cena
IRLR8259TRPBF Vyhledávání
IRLR8259TRPBF Nákup
IRLR8259TRPBF Chip