Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLR8259PBF
MOSFET N-CH 25V 57A DPAK
Číslo dílu
IRLR8259PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
48W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
25V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
57A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8.7 mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
900pF @ 13V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 17335 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLR8259PBF
IRLR8259PBF Elektronické komponenty
IRLR8259PBF Odbyt
IRLR8259PBF Dodavatel
IRLR8259PBF Distributor
IRLR8259PBF Datová tabulka
IRLR8259PBF Fotky
IRLR8259PBF Cena
IRLR8259PBF Nabídka
IRLR8259PBF Nejnižší cena
IRLR8259PBF Vyhledávání
IRLR8259PBF Nákup
IRLR8259PBF Chip