IRLR8113TRPBF
MOSFET N-CH 30V 94A DPAK
Číslo dílu
IRLR8113TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
89W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
94A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
32nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2920pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 31420 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLR8113TRPBF
IRLR8113TRPBF Elektronické komponenty
IRLR8113TRPBF Odbyt
IRLR8113TRPBF Dodavatel
IRLR8113TRPBF Distributor
IRLR8113TRPBF Datová tabulka
IRLR8113TRPBF Fotky
IRLR8113TRPBF Cena
IRLR8113TRPBF Nabídka
IRLR8113TRPBF Nejnižší cena
IRLR8113TRPBF Vyhledávání
IRLR8113TRPBF Nákup
IRLR8113TRPBF Chip