Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLR8103VTRR
MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
Číslo dílu
IRLR8103VTRR
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
115W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
91A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2672pF @ 16V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 32275 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLR8103VTRR
IRLR8103VTRR Elektronické komponenty
IRLR8103VTRR Odbyt
IRLR8103VTRR Dodavatel
IRLR8103VTRR Distributor
IRLR8103VTRR Datová tabulka
IRLR8103VTRR Fotky
IRLR8103VTRR Cena
IRLR8103VTRR Nabídka
IRLR8103VTRR Nejnižší cena
IRLR8103VTRR Vyhledávání
IRLR8103VTRR Nákup
IRLR8103VTRR Chip