Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLR8103VPBF
MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
Číslo dílu
IRLR8103VPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
115W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
91A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2672pF @ 16V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 50131 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLR8103VPBF
IRLR8103VPBF Elektronické komponenty
IRLR8103VPBF Odbyt
IRLR8103VPBF Dodavatel
IRLR8103VPBF Distributor
IRLR8103VPBF Datová tabulka
IRLR8103VPBF Fotky
IRLR8103VPBF Cena
IRLR8103VPBF Nabídka
IRLR8103VPBF Nejnižší cena
IRLR8103VPBF Vyhledávání
IRLR8103VPBF Nákup
IRLR8103VPBF Chip