Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLR8103
MOSFET N-CH 30V 89A D-PAK
Číslo dílu
IRLR8103
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
89W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
89A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
7 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA (Min)
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
-
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 33162 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLR8103
IRLR8103 Elektronické komponenty
IRLR8103 Odbyt
IRLR8103 Dodavatel
IRLR8103 Distributor
IRLR8103 Datová tabulka
IRLR8103 Fotky
IRLR8103 Cena
IRLR8103 Nabídka
IRLR8103 Nejnižší cena
IRLR8103 Vyhledávání
IRLR8103 Nákup
IRLR8103 Chip