Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLR7843PBF
MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
Číslo dílu
IRLR7843PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
140W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
161A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.3 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4380pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 50667 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLR7843PBF
IRLR7843PBF Elektronické komponenty
IRLR7843PBF Odbyt
IRLR7843PBF Dodavatel
IRLR7843PBF Distributor
IRLR7843PBF Datová tabulka
IRLR7843PBF Fotky
IRLR7843PBF Cena
IRLR7843PBF Nabídka
IRLR7843PBF Nejnižší cena
IRLR7843PBF Vyhledávání
IRLR7843PBF Nákup
IRLR7843PBF Chip