IRLR7821TRPBF
MOSFET N-CH 30V 65A DPAK
Číslo dílu
IRLR7821TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
75W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
10 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1030pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 16270 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLR7821TRPBF
IRLR7821TRPBF Elektronické komponenty
IRLR7821TRPBF Odbyt
IRLR7821TRPBF Dodavatel
IRLR7821TRPBF Distributor
IRLR7821TRPBF Datová tabulka
IRLR7821TRPBF Fotky
IRLR7821TRPBF Cena
IRLR7821TRPBF Nabídka
IRLR7821TRPBF Nejnižší cena
IRLR7821TRPBF Vyhledávání
IRLR7821TRPBF Nákup
IRLR7821TRPBF Chip