Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLR7821PBF
MOSFET N-CH 30V 65A DPAK
Číslo dílu
IRLR7821PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
75W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
10 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1030pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 44719 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLR7821PBF
IRLR7821PBF Elektronické komponenty
IRLR7821PBF Odbyt
IRLR7821PBF Dodavatel
IRLR7821PBF Distributor
IRLR7821PBF Datová tabulka
IRLR7821PBF Fotky
IRLR7821PBF Cena
IRLR7821PBF Nabídka
IRLR7821PBF Nejnižší cena
IRLR7821PBF Vyhledávání
IRLR7821PBF Nákup
IRLR7821PBF Chip