Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLR7807ZPBF
MOSFET N-CH 30V 43A DPAK
Číslo dílu
IRLR7807ZPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
40W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
43A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
13.8 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
780pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 5016 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLR7807ZPBF
IRLR7807ZPBF Elektronické komponenty
IRLR7807ZPBF Odbyt
IRLR7807ZPBF Dodavatel
IRLR7807ZPBF Distributor
IRLR7807ZPBF Datová tabulka
IRLR7807ZPBF Fotky
IRLR7807ZPBF Cena
IRLR7807ZPBF Nabídka
IRLR7807ZPBF Nejnižší cena
IRLR7807ZPBF Vyhledávání
IRLR7807ZPBF Nákup
IRLR7807ZPBF Chip