Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLR6225PBF
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
Číslo dílu
IRLR6225PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-50°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
63W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4 mOhm @ 21A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 50µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
72nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3770pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 29223 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLR6225PBF
IRLR6225PBF Elektronické komponenty
IRLR6225PBF Odbyt
IRLR6225PBF Dodavatel
IRLR6225PBF Distributor
IRLR6225PBF Datová tabulka
IRLR6225PBF Fotky
IRLR6225PBF Cena
IRLR6225PBF Nabídka
IRLR6225PBF Nejnižší cena
IRLR6225PBF Vyhledávání
IRLR6225PBF Nákup
IRLR6225PBF Chip