Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLR4343-701PBF
MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
Číslo dílu
IRLR4343-701PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
79W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
50 mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
42nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
740pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 26967 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLR4343-701PBF
IRLR4343-701PBF Elektronické komponenty
IRLR4343-701PBF Odbyt
IRLR4343-701PBF Dodavatel
IRLR4343-701PBF Distributor
IRLR4343-701PBF Datová tabulka
IRLR4343-701PBF Fotky
IRLR4343-701PBF Cena
IRLR4343-701PBF Nabídka
IRLR4343-701PBF Nejnižší cena
IRLR4343-701PBF Vyhledávání
IRLR4343-701PBF Nákup
IRLR4343-701PBF Chip