Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLR3915PBF
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
Číslo dílu
IRLR3915PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
120W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
14 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
92nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1870pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 10198 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLR3915PBF
IRLR3915PBF Elektronické komponenty
IRLR3915PBF Odbyt
IRLR3915PBF Dodavatel
IRLR3915PBF Distributor
IRLR3915PBF Datová tabulka
IRLR3915PBF Fotky
IRLR3915PBF Cena
IRLR3915PBF Nabídka
IRLR3915PBF Nejnižší cena
IRLR3915PBF Vyhledávání
IRLR3915PBF Nákup
IRLR3915PBF Chip