Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLR3717TRRPBF
MOSFET N-CH 20V 120A DPAK
Číslo dílu
IRLR3717TRRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
89W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.45V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
31nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2830pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 19488 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLR3717TRRPBF
IRLR3717TRRPBF Elektronické komponenty
IRLR3717TRRPBF Odbyt
IRLR3717TRRPBF Dodavatel
IRLR3717TRRPBF Distributor
IRLR3717TRRPBF Datová tabulka
IRLR3717TRRPBF Fotky
IRLR3717TRRPBF Cena
IRLR3717TRRPBF Nabídka
IRLR3717TRRPBF Nejnižší cena
IRLR3717TRRPBF Vyhledávání
IRLR3717TRRPBF Nákup
IRLR3717TRRPBF Chip