Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLR3717TRPBF
MOSFET N-CH 20V 120A DPAK
Číslo dílu
IRLR3717TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
89W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.45V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
31nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2830pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 36177 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLR3717TRPBF
IRLR3717TRPBF Elektronické komponenty
IRLR3717TRPBF Odbyt
IRLR3717TRPBF Dodavatel
IRLR3717TRPBF Distributor
IRLR3717TRPBF Datová tabulka
IRLR3717TRPBF Fotky
IRLR3717TRPBF Cena
IRLR3717TRPBF Nabídka
IRLR3717TRPBF Nejnižší cena
IRLR3717TRPBF Vyhledávání
IRLR3717TRPBF Nákup
IRLR3717TRPBF Chip