Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLR3717PBF
MOSFET N-CH 20V 120A DPAK
Číslo dílu
IRLR3717PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
89W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.45V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
31nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2830pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 51867 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLR3717PBF
IRLR3717PBF Elektronické komponenty
IRLR3717PBF Odbyt
IRLR3717PBF Dodavatel
IRLR3717PBF Distributor
IRLR3717PBF Datová tabulka
IRLR3717PBF Fotky
IRLR3717PBF Cena
IRLR3717PBF Nabídka
IRLR3717PBF Nejnižší cena
IRLR3717PBF Vyhledávání
IRLR3717PBF Nákup
IRLR3717PBF Chip