Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLR3715PBF
MOSFET N-CH 20V 54A DPAK
Číslo dílu
IRLR3715PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
3.8W (Ta), 71W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
54A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
14 mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1060pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 39153 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLR3715PBF
IRLR3715PBF Elektronické komponenty
IRLR3715PBF Odbyt
IRLR3715PBF Dodavatel
IRLR3715PBF Distributor
IRLR3715PBF Datová tabulka
IRLR3715PBF Fotky
IRLR3715PBF Cena
IRLR3715PBF Nabídka
IRLR3715PBF Nejnižší cena
IRLR3715PBF Vyhledávání
IRLR3715PBF Nákup
IRLR3715PBF Chip