Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLR3636TRPBF
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Číslo dílu
IRLR3636TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
143W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6.8 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
49nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3779pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 22706 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLR3636TRPBF
IRLR3636TRPBF Elektronické komponenty
IRLR3636TRPBF Odbyt
IRLR3636TRPBF Dodavatel
IRLR3636TRPBF Distributor
IRLR3636TRPBF Datová tabulka
IRLR3636TRPBF Fotky
IRLR3636TRPBF Cena
IRLR3636TRPBF Nabídka
IRLR3636TRPBF Nejnižší cena
IRLR3636TRPBF Vyhledávání
IRLR3636TRPBF Nákup
IRLR3636TRPBF Chip