Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLR3636TRLPBF
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Číslo dílu
IRLR3636TRLPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
143W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6.8 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
49nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3779pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 30579 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLR3636TRLPBF
IRLR3636TRLPBF Elektronické komponenty
IRLR3636TRLPBF Odbyt
IRLR3636TRLPBF Dodavatel
IRLR3636TRLPBF Distributor
IRLR3636TRLPBF Datová tabulka
IRLR3636TRLPBF Fotky
IRLR3636TRLPBF Cena
IRLR3636TRLPBF Nabídka
IRLR3636TRLPBF Nejnižší cena
IRLR3636TRLPBF Vyhledávání
IRLR3636TRLPBF Nákup
IRLR3636TRLPBF Chip