IRLR3410TRPBF
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Číslo dílu
IRLR3410TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
79W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
105 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
34nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
800pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 20417 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLR3410TRPBF
IRLR3410TRPBF Elektronické komponenty
IRLR3410TRPBF Odbyt
IRLR3410TRPBF Dodavatel
IRLR3410TRPBF Distributor
IRLR3410TRPBF Datová tabulka
IRLR3410TRPBF Fotky
IRLR3410TRPBF Cena
IRLR3410TRPBF Nabídka
IRLR3410TRPBF Nejnižší cena
IRLR3410TRPBF Vyhledávání
IRLR3410TRPBF Nákup
IRLR3410TRPBF Chip