IRLR3410TRLPBF
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Číslo dílu
IRLR3410TRLPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
79W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
105 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
34nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
800pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 8818 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLR3410TRLPBF
IRLR3410TRLPBF Elektronické komponenty
IRLR3410TRLPBF Odbyt
IRLR3410TRLPBF Dodavatel
IRLR3410TRLPBF Distributor
IRLR3410TRLPBF Datová tabulka
IRLR3410TRLPBF Fotky
IRLR3410TRLPBF Cena
IRLR3410TRLPBF Nabídka
IRLR3410TRLPBF Nejnižší cena
IRLR3410TRLPBF Vyhledávání
IRLR3410TRLPBF Nákup
IRLR3410TRLPBF Chip