Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLR3110ZTRRPBF

IRLR3110ZTRRPBF

MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Číslo dílu
IRLR3110ZTRRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
140W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
42A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
14 mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
48nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3980pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 32311 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IRLR3110ZTRRPBF
IRLR3110ZTRRPBF Elektronické komponenty
IRLR3110ZTRRPBF Odbyt
IRLR3110ZTRRPBF Dodavatel
IRLR3110ZTRRPBF Distributor
IRLR3110ZTRRPBF Datová tabulka
IRLR3110ZTRRPBF Fotky
IRLR3110ZTRRPBF Cena
IRLR3110ZTRRPBF Nabídka
IRLR3110ZTRRPBF Nejnižší cena
IRLR3110ZTRRPBF Vyhledávání
IRLR3110ZTRRPBF Nákup
IRLR3110ZTRRPBF Chip