IRLR3110ZTRPBF
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Číslo dílu
IRLR3110ZTRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
140W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
42A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
14 mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
48nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3980pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 15393 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLR3110ZTRPBF
IRLR3110ZTRPBF Elektronické komponenty
IRLR3110ZTRPBF Odbyt
IRLR3110ZTRPBF Dodavatel
IRLR3110ZTRPBF Distributor
IRLR3110ZTRPBF Datová tabulka
IRLR3110ZTRPBF Fotky
IRLR3110ZTRPBF Cena
IRLR3110ZTRPBF Nabídka
IRLR3110ZTRPBF Nejnižší cena
IRLR3110ZTRPBF Vyhledávání
IRLR3110ZTRPBF Nákup
IRLR3110ZTRPBF Chip