Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLR2908TRPBF
MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
Číslo dílu
IRLR2908TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
120W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
80V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
28 mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
33nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1890pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 50814 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLR2908TRPBF
IRLR2908TRPBF Elektronické komponenty
IRLR2908TRPBF Odbyt
IRLR2908TRPBF Dodavatel
IRLR2908TRPBF Distributor
IRLR2908TRPBF Datová tabulka
IRLR2908TRPBF Fotky
IRLR2908TRPBF Cena
IRLR2908TRPBF Nabídka
IRLR2908TRPBF Nejnižší cena
IRLR2908TRPBF Vyhledávání
IRLR2908TRPBF Nákup
IRLR2908TRPBF Chip