IRLR2908TRLPBF
MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
Číslo dílu
IRLR2908TRLPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
120W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
80V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
28 mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
33nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1890pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 54833 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLR2908TRLPBF
IRLR2908TRLPBF Elektronické komponenty
IRLR2908TRLPBF Odbyt
IRLR2908TRLPBF Dodavatel
IRLR2908TRLPBF Distributor
IRLR2908TRLPBF Datová tabulka
IRLR2908TRLPBF Fotky
IRLR2908TRLPBF Cena
IRLR2908TRLPBF Nabídka
IRLR2908TRLPBF Nejnižší cena
IRLR2908TRLPBF Vyhledávání
IRLR2908TRLPBF Nákup
IRLR2908TRLPBF Chip