Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLR2905ZPBF
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Číslo dílu
IRLR2905ZPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
110W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
42A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
13.5 mOhm @ 36A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1570pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 50654 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLR2905ZPBF
IRLR2905ZPBF Elektronické komponenty
IRLR2905ZPBF Odbyt
IRLR2905ZPBF Dodavatel
IRLR2905ZPBF Distributor
IRLR2905ZPBF Datová tabulka
IRLR2905ZPBF Fotky
IRLR2905ZPBF Cena
IRLR2905ZPBF Nabídka
IRLR2905ZPBF Nejnižší cena
IRLR2905ZPBF Vyhledávání
IRLR2905ZPBF Nákup
IRLR2905ZPBF Chip