Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLR2905PBF
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Číslo dílu
IRLR2905PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
110W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
42A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
27 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
48nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1700pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 43231 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLR2905PBF
IRLR2905PBF Elektronické komponenty
IRLR2905PBF Odbyt
IRLR2905PBF Dodavatel
IRLR2905PBF Distributor
IRLR2905PBF Datová tabulka
IRLR2905PBF Fotky
IRLR2905PBF Cena
IRLR2905PBF Nabídka
IRLR2905PBF Nejnižší cena
IRLR2905PBF Vyhledávání
IRLR2905PBF Nákup
IRLR2905PBF Chip