Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLR2705PBF
MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
Číslo dílu
IRLR2705PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
68W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
40 mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
880pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 52765 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLR2705PBF
IRLR2705PBF Elektronické komponenty
IRLR2705PBF Odbyt
IRLR2705PBF Dodavatel
IRLR2705PBF Distributor
IRLR2705PBF Datová tabulka
IRLR2705PBF Fotky
IRLR2705PBF Cena
IRLR2705PBF Nabídka
IRLR2705PBF Nejnižší cena
IRLR2705PBF Vyhledávání
IRLR2705PBF Nákup
IRLR2705PBF Chip