Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLR120NTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Číslo dílu
IRLR120NTRLPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
48W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
185 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
440pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 19181 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLR120NTRLPBF
IRLR120NTRLPBF Elektronické komponenty
IRLR120NTRLPBF Odbyt
IRLR120NTRLPBF Dodavatel
IRLR120NTRLPBF Distributor
IRLR120NTRLPBF Datová tabulka
IRLR120NTRLPBF Fotky
IRLR120NTRLPBF Cena
IRLR120NTRLPBF Nabídka
IRLR120NTRLPBF Nejnižší cena
IRLR120NTRLPBF Vyhledávání
IRLR120NTRLPBF Nákup
IRLR120NTRLPBF Chip