Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLR120NPBF
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Číslo dílu
IRLR120NPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
48W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
185 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
440pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 42072 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLR120NPBF
IRLR120NPBF Elektronické komponenty
IRLR120NPBF Odbyt
IRLR120NPBF Dodavatel
IRLR120NPBF Distributor
IRLR120NPBF Datová tabulka
IRLR120NPBF Fotky
IRLR120NPBF Cena
IRLR120NPBF Nabídka
IRLR120NPBF Nejnižší cena
IRLR120NPBF Vyhledávání
IRLR120NPBF Nákup
IRLR120NPBF Chip