Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLR024ZPBF
MOSFET N-CH 55V 16A DPAK
Číslo dílu
IRLR024ZPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
35W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
58 mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
9.9nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
380pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 40706 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLR024ZPBF
IRLR024ZPBF Elektronické komponenty
IRLR024ZPBF Odbyt
IRLR024ZPBF Dodavatel
IRLR024ZPBF Distributor
IRLR024ZPBF Datová tabulka
IRLR024ZPBF Fotky
IRLR024ZPBF Cena
IRLR024ZPBF Nabídka
IRLR024ZPBF Nejnižší cena
IRLR024ZPBF Vyhledávání
IRLR024ZPBF Nákup
IRLR024ZPBF Chip