Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLMS6702TR
MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP
Číslo dílu
IRLMS6702TR
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SOT-23-6
Dodavatelský balíček zařízení
Micro6™(SOT23-6)
Ztráta energie (max.)
1.7W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.4A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
200 mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
8.8nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
210pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.7V, 4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 8622 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLMS6702TR
IRLMS6702TR Elektronické komponenty
IRLMS6702TR Odbyt
IRLMS6702TR Dodavatel
IRLMS6702TR Distributor
IRLMS6702TR Datová tabulka
IRLMS6702TR Fotky
IRLMS6702TR Cena
IRLMS6702TR Nabídka
IRLMS6702TR Nejnižší cena
IRLMS6702TR Vyhledávání
IRLMS6702TR Nákup
IRLMS6702TR Chip