Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLMS5703TR
MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-TSOP
Číslo dílu
IRLMS5703TR
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SOT-23-6
Dodavatelský balíček zařízení
Micro6™(SOT23-6)
Ztráta energie (max.)
1.7W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.3A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
200 mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
170pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 45969 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLMS5703TR
IRLMS5703TR Elektronické komponenty
IRLMS5703TR Odbyt
IRLMS5703TR Dodavatel
IRLMS5703TR Distributor
IRLMS5703TR Datová tabulka
IRLMS5703TR Fotky
IRLMS5703TR Cena
IRLMS5703TR Nabídka
IRLMS5703TR Nejnižší cena
IRLMS5703TR Vyhledávání
IRLMS5703TR Nákup
IRLMS5703TR Chip