IRLMS2002TRPBF
MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP
Číslo dílu
IRLMS2002TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SOT-23-6
Dodavatelský balíček zařízení
Micro6™(SOT23-6)
Ztráta energie (max.)
2W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6.5A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
30 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1310pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 40380 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLMS2002TRPBF
IRLMS2002TRPBF Elektronické komponenty
IRLMS2002TRPBF Odbyt
IRLMS2002TRPBF Dodavatel
IRLMS2002TRPBF Distributor
IRLMS2002TRPBF Datová tabulka
IRLMS2002TRPBF Fotky
IRLMS2002TRPBF Cena
IRLMS2002TRPBF Nabídka
IRLMS2002TRPBF Nejnižší cena
IRLMS2002TRPBF Vyhledávání
IRLMS2002TRPBF Nákup
IRLMS2002TRPBF Chip