Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLMS2002TR
MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP
Číslo dílu
IRLMS2002TR
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SOT-23-6
Dodavatelský balíček zařízení
Micro6™(SOT23-6)
Ztráta energie (max.)
2W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6.5A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
30 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1310pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 19260 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLMS2002TR
IRLMS2002TR Elektronické komponenty
IRLMS2002TR Odbyt
IRLMS2002TR Dodavatel
IRLMS2002TR Distributor
IRLMS2002TR Datová tabulka
IRLMS2002TR Fotky
IRLMS2002TR Cena
IRLMS2002TR Nabídka
IRLMS2002TR Nejnižší cena
IRLMS2002TR Vyhledávání
IRLMS2002TR Nákup
IRLMS2002TR Chip