Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLMS2002
MOSFET N-CH 20V 6.5A TSOP-6
Číslo dílu
IRLMS2002
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SOT-23-6
Dodavatelský balíček zařízení
Micro6™(SOT23-6)
Ztráta energie (max.)
2W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6.5A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
30 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1310pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 50069 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLMS2002
IRLMS2002 Elektronické komponenty
IRLMS2002 Odbyt
IRLMS2002 Dodavatel
IRLMS2002 Distributor
IRLMS2002 Datová tabulka
IRLMS2002 Fotky
IRLMS2002 Cena
IRLMS2002 Nabídka
IRLMS2002 Nejnižší cena
IRLMS2002 Vyhledávání
IRLMS2002 Nákup
IRLMS2002 Chip