Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLMS1902TRPBF
MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP
Číslo dílu
IRLMS1902TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SOT-23-6
Dodavatelský balíček zařízení
Micro6™(TSOP-6)
Ztráta energie (max.)
1.7W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.2A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
100 mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
7nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
300pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.7V, 4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 24657 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLMS1902TRPBF
IRLMS1902TRPBF Elektronické komponenty
IRLMS1902TRPBF Odbyt
IRLMS1902TRPBF Dodavatel
IRLMS1902TRPBF Distributor
IRLMS1902TRPBF Datová tabulka
IRLMS1902TRPBF Fotky
IRLMS1902TRPBF Cena
IRLMS1902TRPBF Nabídka
IRLMS1902TRPBF Nejnižší cena
IRLMS1902TRPBF Vyhledávání
IRLMS1902TRPBF Nákup
IRLMS1902TRPBF Chip