Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLMS1902TR
MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP
Číslo dílu
IRLMS1902TR
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SOT-23-6
Dodavatelský balíček zařízení
Micro6™(TSOP-6)
Ztráta energie (max.)
1.7W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.2A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
100 mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
7nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
300pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.7V, 4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 29342 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLMS1902TR
IRLMS1902TR Elektronické komponenty
IRLMS1902TR Odbyt
IRLMS1902TR Dodavatel
IRLMS1902TR Distributor
IRLMS1902TR Datová tabulka
IRLMS1902TR Fotky
IRLMS1902TR Cena
IRLMS1902TR Nabídka
IRLMS1902TR Nejnižší cena
IRLMS1902TR Vyhledávání
IRLMS1902TR Nákup
IRLMS1902TR Chip