Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLML6402TR
MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23
Číslo dílu
IRLML6402TR
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dodavatelský balíček zařízení
Micro3™/SOT-23
Ztráta energie (max.)
1.3W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.7A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
65 mOhm @ 3.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
633pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 17815 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLML6402TR
IRLML6402TR Elektronické komponenty
IRLML6402TR Odbyt
IRLML6402TR Dodavatel
IRLML6402TR Distributor
IRLML6402TR Datová tabulka
IRLML6402TR Fotky
IRLML6402TR Cena
IRLML6402TR Nabídka
IRLML6402TR Nejnižší cena
IRLML6402TR Vyhledávání
IRLML6402TR Nákup
IRLML6402TR Chip