Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLML6401TR
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23
Číslo dílu
IRLML6401TR
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dodavatelský balíček zařízení
Micro3™/SOT-23
Ztráta energie (max.)
1.3W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
12V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4.3A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
50 mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
950mV @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
830pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 49950 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLML6401TR
IRLML6401TR Elektronické komponenty
IRLML6401TR Odbyt
IRLML6401TR Dodavatel
IRLML6401TR Distributor
IRLML6401TR Datová tabulka
IRLML6401TR Fotky
IRLML6401TR Cena
IRLML6401TR Nabídka
IRLML6401TR Nejnižší cena
IRLML6401TR Vyhledávání
IRLML6401TR Nákup
IRLML6401TR Chip