IRLML6302TRPBF
MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23
Číslo dílu
IRLML6302TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dodavatelský balíček zařízení
Micro3™/SOT-23
Ztráta energie (max.)
540mW (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
780mA (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
600 mOhm @ 610mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
3.6nC @ 4.45V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
97pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.7V, 4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 6616 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLML6302TRPBF
IRLML6302TRPBF Elektronické komponenty
IRLML6302TRPBF Odbyt
IRLML6302TRPBF Dodavatel
IRLML6302TRPBF Distributor
IRLML6302TRPBF Datová tabulka
IRLML6302TRPBF Fotky
IRLML6302TRPBF Cena
IRLML6302TRPBF Nabídka
IRLML6302TRPBF Nejnižší cena
IRLML6302TRPBF Vyhledávání
IRLML6302TRPBF Nákup
IRLML6302TRPBF Chip