Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLML6302TR
MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23
Číslo dílu
IRLML6302TR
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dodavatelský balíček zařízení
Micro3™/SOT-23
Ztráta energie (max.)
540mW (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
780mA (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
600 mOhm @ 610mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
3.6nC @ 4.45V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
97pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.7V, 4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 26249 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLML6302TR
IRLML6302TR Elektronické komponenty
IRLML6302TR Odbyt
IRLML6302TR Dodavatel
IRLML6302TR Distributor
IRLML6302TR Datová tabulka
IRLML6302TR Fotky
IRLML6302TR Cena
IRLML6302TR Nabídka
IRLML6302TR Nejnižší cena
IRLML6302TR Vyhledávání
IRLML6302TR Nákup
IRLML6302TR Chip