IRLML2060TRPBF
MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
Číslo dílu
IRLML2060TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dodavatelský balíček zařízení
Micro3™/SOT-23
Ztráta energie (max.)
1.25W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.2A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
480 mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 25µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
0.67nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
64pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 45412 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLML2060TRPBF
IRLML2060TRPBF Elektronické komponenty
IRLML2060TRPBF Odbyt
IRLML2060TRPBF Dodavatel
IRLML2060TRPBF Distributor
IRLML2060TRPBF Datová tabulka
IRLML2060TRPBF Fotky
IRLML2060TRPBF Cena
IRLML2060TRPBF Nabídka
IRLML2060TRPBF Nejnižší cena
IRLML2060TRPBF Vyhledávání
IRLML2060TRPBF Nákup
IRLML2060TRPBF Chip