Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRLL2705PBF
MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
Číslo dílu
IRLL2705PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-261-4, TO-261AA
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-223
Ztráta energie (max.)
1W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.8A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
40 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
48nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
870pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 10V
VGS (max.)
±16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 6080 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRLL2705PBF
IRLL2705PBF Elektronické komponenty
IRLL2705PBF Odbyt
IRLL2705PBF Dodavatel
IRLL2705PBF Distributor
IRLL2705PBF Datová tabulka
IRLL2705PBF Fotky
IRLL2705PBF Cena
IRLL2705PBF Nabídka
IRLL2705PBF Nejnižší cena
IRLL2705PBF Vyhledávání
IRLL2705PBF Nákup
IRLL2705PBF Chip